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施德恒, 刘新建. 四甲基硅共振增强多光子电离的质谱的机理研究[J]. 信阳师范学院学报(自然科学版), 1993, 6(1): 72-77.
引用本文: 施德恒, 刘新建. 四甲基硅共振增强多光子电离的质谱的机理研究[J]. 信阳师范学院学报(自然科学版), 1993, 6(1): 72-77.
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四甲基硅共振增强多光子电离的质谱的机理研究

    摘要
  • 摘要: 本文利用TOF质谱仪研究了TMS的REMPI机理.首次获得了371.00～378.00nm范围内若干个波长点处的TOF质谱,得出了此波段内TMS的REMPI机理为B类光化学行为的结论.对C_2~+的形成机理也给予了简短的讨论.

     

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